Imprimir página
IRL510PBF
MOSFET, N, LOGIC, TO-220
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRL510PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark97K2385
Su número de pieza
1,826 En Stock
1,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.660 |
| 10+ | $1.480 |
| 100+ | $1.140 |
| 500+ | $0.991 |
| 1000+ | $0.913 |
| 2500+ | $0.844 |
| 10000+ | $0.728 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.66
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRL510PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark97K2385
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id5.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.54ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.54ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia Pd43W
Disipación de Potencia43W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
Los MOSFET de potencia de tercera generación brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad.
- Clasificación dv/dot dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Unidad de puerta de nivel lógico
- Temperatura de operación de 175°C
- Conmutación rápida
- Facilidad de paralelismo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.54ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia Pd
43W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.54ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia
43W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRL510PBF
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto