Imprimir página
IRLZ14PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRLZ14PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante30 semanas
No. Parte Newark63J7700
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 30 semana(s)
Avísenme cuando vuelva a estar en stock
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.660 |
| 10+ | $1.980 |
| 100+ | $1.300 |
| 500+ | $1.090 |
| 1000+ | $1.020 |
| 2500+ | $0.967 |
| 10000+ | $0.868 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.66
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRLZ14PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante30 semanas
No. Parte Newark63J7700
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Disipación de Potencia Pd43W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia43
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El IRLZ14PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 60V, el MOSFET de potencia HEXFET® de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Conmutación rápida
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
43W
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
43
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRLZ14PBF
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto