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SI1013R-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 400 mA, 1.2 ohm, SC-75A, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1013R-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark16P3670
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id400
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.8ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd150mW
Voltaje de Prueba Rds(on)6
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente450
Diseño de TransistorSC-75A
Disipación de Potencia150
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
6
Diseño de Transistor
SC-75A
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
400
Resistencia de Activación Rds(on)
0.8ohm
Disipación de Potencia Pd
150mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
450
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto