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SI1016CX-T1-GE3
MOSFET, NP CHANNEL, 20V, W DIODE, SOT563F
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1016CX-T1-GE3
No. Parte Newark64T4049
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N600mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P600mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.33ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.33ohm
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N220mW
Disipación de Potencia de Canal P220mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
600mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.33ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
220mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
600mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.33ohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
220mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI1016CX-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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