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SI1902CDL-T1-BE3
MOSFET Dual, Canal N, 20 V, 1.1 A, 0.195 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1902CDL-T1-BE3
No. Parte Newark36AJ8057
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI1902CDL-T1-BE3
No. Parte Newark36AJ8057
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1.1A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.1
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.195
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSC-70
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N420
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Intensidad Drenador Continua Id
1.1A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.1
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.195
Diseño de Transistor
SC-70
Disipación de Potencia de Canal N
420
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto