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SI2301CDS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2301CDS-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7185
Cinta adhesiva69W7185
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.775 | $0.78 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.78 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.775 |
| 25+ | $0.483 |
| 50+ | $0.397 |
| 100+ | $0.311 |
| 250+ | $0.274 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2301CDS-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7185
Cinta adhesiva69W7185
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id3.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.11ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.112
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
Si2301CDS-T1-E3 is a P-channel 20V (D-S) MOSFET. The applications include a load switch.
- TrenchFET® Power MOSFET
- Drain-source breakdown voltage is -20V min (VGS = 0V, ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from -0.4 to 1V (VDS = VGS, ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current is - 3.1A (TJ = 150 °C, TC = 25°C)
- Pulsed drain current is -10A (TA = 25°C)
- Continuous source-drain diode current is -1.3A (TC = 25°C, TA = 25°C)
- Maximum power dissipation is 1.6W (TC = 25°C, TA = 25°C)
- VDS temperature coefficient is -18mV/°C typ (ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 9.5S typ (VDS = - 5V, ID = - 2.8A, TJ = 25°C)
- SOT-23 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.11ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.112
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2301CDS-T1-E3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto