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SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 8V, 5.8A, SOT-23
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark96AJ0106
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.162 |
| 6000+ | $0.154 |
| 12000+ | $0.146 |
| 18000+ | $0.137 |
| 30000+ | $0.128 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark96AJ0106
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds8V
Intensidad Drenador Continua Id5.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.035ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400mV
Disipación de Potencia1.7W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.8A
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
8V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.035ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2305CDS-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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