Imprimir página
SI2307BDS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 2.5 A, 0.078 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2307BDS-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark64R4907
Su número de pieza
3,000 En Stock
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.407 |
| 6000+ | $0.399 |
| 9000+ | $0.391 |
| 15000+ | $0.383 |
| 30000+ | $0.374 |
| 75000+ | $0.367 |
| 150000+ | $0.358 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$1,221.00
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2307BDS-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark64R4907
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.078
Resistencia de Activación Rds(on)0.063ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd750mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia750
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Resumen del producto
El SI2307BDS-T1-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 30VDS con diodo antiparalelo.
- Probado Rg 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.078
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.063ohm
Disipación de Potencia Pd
750mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
750
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (4)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto