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SI2309CDS-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 60V, 1.6A, SOT23
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2309CDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante64 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96AJ0108
Re-reeling (Rollos a medida)55R1911RL
Cinta adhesiva55R1911
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.964 | $4.82 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.82 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.964 |
| 10+ | $0.634 |
| 15+ | $0.586 |
| 25+ | $0.538 |
| 50+ | $0.490 |
| 125+ | $0.443 |
| 250+ | $0.434 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.218 |
| 9000+ | $0.216 |
| 15000+ | $0.213 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2309CDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante64 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96AJ0108
Re-reeling (Rollos a medida)55R1911RL
Cinta adhesiva55R1911
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id1.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.345ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia1.7W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.345ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2309CDS-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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