Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2309CDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante62 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7188
Cinta adhesiva69W7188
Su número de pieza
1,338 En Stock
6,000 Puede reservar stock ahora
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.950 | $0.95 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.950 |
| 25+ | $0.590 |
| 50+ | $0.486 |
| 100+ | $0.381 |
| 250+ | $0.336 |
| 500+ | $0.292 |
| 1000+ | $0.263 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2309CDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante62 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7188
Cinta adhesiva69W7188
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id1.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.345ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.36ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd1.7W
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia1.7W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI2309CDS-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de canal P de 60V con voltaje de fuente de puerta de ±20V. Funciona con la tecnología TrenchFET® power MOSFET.
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.345ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.36ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
1.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2309CDS-T1-GE3
4 productos encontrados
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
