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SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 6 A, 0.0318 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2312CDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87W5911
Cinta adhesiva87W5911
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.808 | $0.81 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.81 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.808 |
| 25+ | $0.498 |
| 50+ | $0.409 |
| 100+ | $0.319 |
| 250+ | $0.281 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2312CDS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)87W5911
Cinta adhesiva87W5911
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0318
Resistencia de Activación Rds(on)0.0265ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd1.25W
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente450
Disipación de Potencia1.25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Resumen del producto
El SI2312CDS-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 20V. Adecuado para convertidores de CD a CD e interruptores de carga para aplicaciones portátiles. El MOSFET de potencia LITTLE FOOT® montado en la superficie utiliza circuitos integrados y paquetes de señales pequeñas que se han modificado para proporcionar las capacidades de transferencia de calor requeridas por los dispositivos de potencia.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
- Rg probado 100%
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha provocado una ampliación de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden variar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0318
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
450
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0265ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
1.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2312CDS-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
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