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SI2325DS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 150 V, 690 mA, 1.2 ohm, TO-236, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2325DS-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)43K8583RL
Cinta adhesiva43K8583
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.860 | $1.86 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.86 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.860 |
| 50+ | $1.230 |
| 100+ | $0.865 |
| 250+ | $0.788 |
| 500+ | $0.710 |
| 1000+ | $0.661 |
| 2500+ | $0.623 |
| 5000+ | $0.585 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2325DS-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)43K8583RL
Cinta adhesiva43K8583
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id690
Resistencia de Activación Rds(on)1.3ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)6
Disipación de Potencia Pd750mW
Diseño de TransistorTO-236
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia750
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI2325DS-T1-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 150VDS adecuado para circuitos de pinza activa en fuentes de alimentación de CD a CD.
- Ultra baja resistencia de encendido
- Tamaño pequeño
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
1.3ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
750mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
690
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2
Voltaje de Prueba Rds(on)
6
Diseño de Transistor
TO-236
Disipación de Potencia
750
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2325DS-T1-E3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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