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SI2336DS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 5.2 A, 42 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2336DS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6269
Re-reeling (Rollos a medida)23T8500RL
Cinta adhesiva23T8500
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.070 | $1.07 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.07 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.070 |
| 50+ | $0.481 |
| 100+ | $0.424 |
| 250+ | $0.374 |
| 500+ | $0.323 |
| 1000+ | $0.317 |
| 2500+ | $0.311 |
| 5000+ | $0.304 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.368 |
| 5000+ | $0.362 |
| 10000+ | $0.341 |
| 20000+ | $0.323 |
| 30000+ | $0.306 |
| 50000+ | $0.296 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2336DS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6269
Re-reeling (Rollos a medida)23T8500RL
Cinta adhesiva23T8500
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id5.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.042ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.034ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400mV
Disipación de Potencia1.8W
Disipación de Potencia Pd1.8W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 30V (D-S)
- Probado Rg 100%
- Utiliza en convertidores CD-CD, convertidores de refuerzo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.042ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.8W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.034ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400mV
Disipación de Potencia Pd
1.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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