Imprimir página
SI2342DS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 8 V, 6 A, 0.017 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2342DS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6495
Cinta adhesiva70AC6495
Su número de pieza
15,000 En Stock
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.926 | $0.93 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.93 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.926 |
| 25+ | $0.594 |
| 50+ | $0.499 |
| 100+ | $0.403 |
| 250+ | $0.362 |
| 500+ | $0.321 |
| 1000+ | $0.294 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2342DS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6495
Cinta adhesiva70AC6495
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds8V
Intensidad Drenador Continua Id6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.017ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd2.5W
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800mV
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
- TrenchFET® Power MOSFET
- 100% Rg Tested
- Built-in ESD Protection - Typical ESD Performance 3000V
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
8V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.017ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800mV
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI2342DS-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto