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SI2369DS-T1-GE3
MOSFET Transistor, P Channel, -7.6 A, -3
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2369DS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96AJ0112
Re-reeling (Rollos a medida)40X8697RL
Cinta adhesiva40X8697
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.060 | $5.30 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.30 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.060 |
| 10+ | $0.774 |
| 15+ | $0.707 |
| 25+ | $0.640 |
| 50+ | $0.572 |
| 125+ | $0.505 |
| 250+ | $0.437 |
| 500+ | $0.369 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.210 |
| 9000+ | $0.184 |
| 15000+ | $0.181 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2369DS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96AJ0112
Re-reeling (Rollos a medida)40X8697RL
Cinta adhesiva40X8697
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id7.6A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.029ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
7.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.029ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SI2369DS-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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