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SI2399DS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2399DS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo01AM0551
Re-reeling (Rollos a medida)64T4058RL
Cinta adhesiva64T4058
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.852 | $0.85 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.85 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.852 |
| 50+ | $0.386 |
| 100+ | $0.339 |
| 250+ | $0.299 |
| 500+ | $0.259 |
| 1000+ | $0.251 |
| 2500+ | $0.243 |
| 5000+ | $0.234 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.233 |
| 9000+ | $0.228 |
| 15000+ | $0.211 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2399DS-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo01AM0551
Re-reeling (Rollos a medida)64T4058RL
Cinta adhesiva64T4058
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.034ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.028ohm
Diseño de TransistorTO-236
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600mV
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SI2399DS-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 20VDS adecuado para aplicaciones de interruptor de carga, interruptor PA y convertidor de CD a CD.
- Probado Rg 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.034ohm
Diseño de Transistor
TO-236
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.028ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI2399DS-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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