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SI3127DV-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3127DV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante64 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)75AH9200RL
Cinta adhesiva75AH9200
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.949 | $0.95 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.949 |
| 50+ | $0.677 |
| 100+ | $0.422 |
| 250+ | $0.360 |
| 500+ | $0.298 |
| 1000+ | $0.271 |
| 2500+ | $0.245 |
| 5000+ | $0.220 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3127DV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante64 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)75AH9200RL
Cinta adhesiva75AH9200
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id5.1
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.074
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia4.2
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
5.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.074
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
4.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI3127DV-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto