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Plazo de entrega estándar del fabricante: 39 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.913 |
| 10+ | $0.568 |
| 25+ | $0.500 |
| 50+ | $0.433 |
| 100+ | $0.365 |
| 250+ | $0.323 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3429EDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark57AJ0434
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0175ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia4.2W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
4.2W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0175ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto