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SI3430DV-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 1.8 A, 0.17 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3430DV-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo65K1923
Cinta adhesiva06J7594
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.180 | $2.18 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.18 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.180 |
| 50+ | $1.470 |
| 100+ | $1.050 |
| 250+ | $0.959 |
| 500+ | $0.870 |
| 1000+ | $0.813 |
| 2500+ | $0.777 |
| 5000+ | $0.740 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.541 |
| 9000+ | $0.535 |
| 15000+ | $0.525 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3430DV-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo65K1923
Cinta adhesiva06J7594
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id1.8
Resistencia de Activación Rds(on)0.17ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.17
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.14W
Diseño de TransistorTSOP
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia1.14
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.17ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.14W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.17
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia
1.14
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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