Imprimir página
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 5.97 A, 0.06 ohm, TSOP, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3443CDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6276
Re-reeling (Rollos a medida)55R1913RL
Cinta adhesiva55R1913
Su número de pieza
6,245 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.901 | $0.90 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.90 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.901 |
| 50+ | $0.412 |
| 100+ | $0.364 |
| 250+ | $0.321 |
| 500+ | $0.278 |
| 1000+ | $0.257 |
| 2500+ | $0.235 |
| 5000+ | $0.214 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.372 |
| 5000+ | $0.366 |
| 10000+ | $0.345 |
| 20000+ | $0.326 |
| 30000+ | $0.310 |
| 50000+ | $0.299 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3443CDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6276
Re-reeling (Rollos a medida)55R1913RL
Cinta adhesiva55R1913
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id5.97A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.05ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd3.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600mV
Disipación de Potencia3.2W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SI3443CDV-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 20VDS adecuado para HDD, rectificación asíncrona y aplicaciones de interruptor de carga.
- Optimizado para PWM
- Probado Rg 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.97A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.05ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
3.2W
Disipación de Potencia
3.2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600mV
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI3443CDV-T1-GE3
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto