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SI3459BDV-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3459BDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)84R8040RL
Cinta adhesiva84R8040
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Su número de pieza
3,000 En Stock
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Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.260 | $1.26 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.26 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.260 |
| 50+ | $0.791 |
| 100+ | $0.522 |
| 250+ | $0.463 |
| 500+ | $0.405 |
| 1000+ | $0.368 |
| 2500+ | $0.343 |
| 5000+ | $0.319 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3459BDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)84R8040RL
Cinta adhesiva84R8040
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id2.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.216
Resistencia de Activación Rds(on)0.18ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorTSOP
Disipación de Potencia2
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.216
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TSOP
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.18ohm
Disipación de Potencia Pd
2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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