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SI3473CDV-T1-GE3
MOSFET, CANAL P, -12V, -8A, TSOP
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.210 | $6.05 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $6.05 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.210 |
| 10+ | $0.755 |
| 15+ | $0.690 |
| 25+ | $0.624 |
| 50+ | $0.560 |
| 125+ | $0.494 |
| 250+ | $0.439 |
| 500+ | $0.384 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.283 |
| 9000+ | $0.251 |
| 15000+ | $0.238 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3473CDV-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo96AJ0113
Re-reeling (Rollos a medida)10AC9118RL
Cinta adhesiva10AC9118
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.016ohm
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia4.2W
Disipación de Potencia Pd4.2W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de 12V (D-S)
- Optimizado para PWM
- Utilizado en interruptor de carga, Interruptor PA
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022ohm
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
4.2W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.016ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia Pd
4.2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI3473CDV-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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