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SI3483CDV-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 8 A, 0.034 ohm, TSOP, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI3483CDV-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark84R8043
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.034
Resistencia de Activación Rds(on)0.027ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd4.2W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorTSOP
Disipación de Potencia4.2
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.034
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TSOP
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.027ohm
Disipación de Potencia Pd
4.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
4.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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