Imprimir página
SI4062DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 32.1 A, 0.0035 ohm, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4062DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6504RL
Cinta adhesiva70AC6504
Su número de pieza
2,194 En Stock
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.780 | $2.78 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.78 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.780 |
| 50+ | $1.880 |
| 100+ | $1.360 |
| 250+ | $1.250 |
| 500+ | $1.130 |
| 1000+ | $1.060 |
| 2500+ | $1.010 |
| 5000+ | $0.987 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4062DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)70AC6504RL
Cinta adhesiva70AC6504
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id32.1
Resistencia de Activación Rds(on)0.0035ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0035
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd7.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Disipación de Potencia7.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0035ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
32.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0035
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
7.8W
Disipación de Potencia
7.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto