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SI4126DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 39 A, 0.00275 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4126DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo16P3727
Re-reeling (Rollos a medida)18X0010RL
Cinta adhesiva18X0010
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2,230 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.550 | $3.55 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.55 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.550 |
| 50+ | $2.320 |
| 100+ | $1.610 |
| 250+ | $1.460 |
| 500+ | $1.300 |
| 1000+ | $1.280 |
| 2500+ | $1.200 |
| 5000+ | $1.180 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $1.640 |
| 7500+ | $1.610 |
| 12500+ | $1.580 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4126DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo16P3727
Re-reeling (Rollos a medida)18X0010RL
Cinta adhesiva18X0010
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id39
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00275
Resistencia de Activación Rds(on)0.0022ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd7.8W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia7.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00275
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
7.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
39
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0022ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
7.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4126DY-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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