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SI4128DY-T1-GE3
MOSFET POT, CANAL N, 30V, 10.9A
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FabricanteVISHAY
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| 2500+ | $0.284 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark55R1919
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id10.9
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El SI4128DY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 30 VDS adecuado para el interruptor de carga y las aplicaciones de alimentación del sistema.
- Probado Rg 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
5W
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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