Imprimir página
SI4178DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 12 A, 0.021 ohm, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4178DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)05W6942
Cinta adhesiva05W6942
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
2,490 En Stock
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.230 | $1.23 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.23 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.230 |
| 10+ | $0.796 |
| 25+ | $0.714 |
| 50+ | $0.630 |
| 100+ | $0.547 |
| 250+ | $0.494 |
| 500+ | $0.441 |
| 1000+ | $0.406 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4178DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)05W6942
Cinta adhesiva05W6942
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia de Activación Rds(on)0.017ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd5W
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.4
Disipación de Potencia5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoTrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.017ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.4
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI4178DY-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto