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SI4204DY-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal N, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 0.0038 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4204DY-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7196
Cinta adhesiva69W7196
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $41.200 | $41.20 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $41.20 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $41.200 |
| 10+ | $33.200 |
| 25+ | $31.400 |
| 50+ | $29.600 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4204DY-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7196
Cinta adhesiva69W7196
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id19.8A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N19.8
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P19.8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0038
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0038
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.25
Disipación de Potencia de Canal P3.25
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El SI4204DY-T1-GE3 es un MOSFET de doble canal N alojado en un paquete de montaje en superficie. Es adecuado para aplicaciones de convertidor CD a CD, telecomunicaciones fijas y PC portátiles.
- Libre de halógenos
- TrenchFET® power MOSFET
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
19.8A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
19.8
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0038
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.25
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
19.8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0038
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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