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SI4401BDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4401BDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7197
Cinta adhesiva69W7197
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 2500 | $1.710 | $4,275.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4,275.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $1.710 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4401BDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7197
Cinta adhesiva69W7197
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id8.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.014
Resistencia de Activación Rds(on)0.011ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Diseño de TransistorSOIC
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia1.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI4401BDY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 40VDS con diodo antiparalelo.
- Probado Rg 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.014
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
8.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.011ohm
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia
1.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI4401BDY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto