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SI4436DY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark85W3207
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $1.510 |
| 5000+ | $1.470 |
| 7500+ | $1.440 |
| 12500+ | $1.410 |
| 25000+ | $1.390 |
| 62500+ | $1.360 |
| 125000+ | $1.330 |
| 250000+ | $1.290 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$3,775.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4436DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark85W3207
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.036
Resistencia de Activación Rds(on)0.03ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Diseño de TransistorSOIC
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jan-2020)
Resumen del producto
El SI4436DY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 60 VDS adecuado para aplicaciones de inversor CCFL.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Optimizado para el funcionamiento del rectificador síncrono de lado bajo
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.036
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Diseño de Transistor
SOIC
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.03ohm
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jan-2020)
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jan-2020)
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Certificado de conformidad del producto