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SI4564DY-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
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2,500 En Stock
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| 50+ | $1.250 |
| 100+ | $1.110 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4564DY-T1-GE3
No. Parte Newark05W6946
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40
Intensidad Drenador Continua Id10A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N10
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P10
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0145
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0145
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1
Disipación de Potencia de Canal P3.1
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El SI4564DY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de doble canal y N de 40V.
- Libre de halógenos según la definición de IEC 61249-2-21
- Rg probado 100%
- Probado UIS 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
10
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0145
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
10
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0145
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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