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SI4599DY-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.0355 ohm
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4599DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6298
Re-reeling (Rollos a medida)55R1926RL
Cinta adhesiva55R1926
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.700 | $1.70 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.70 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.700 |
| 50+ | $0.794 |
| 100+ | $0.706 |
| 250+ | $0.628 |
| 500+ | $0.549 |
| 1000+ | $0.538 |
| 2500+ | $0.527 |
| 5000+ | $0.516 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.061 |
| 5000+ | $0.060 |
| 10000+ | $0.057 |
| 20000+ | $0.053 |
| 30000+ | $0.051 |
| 50000+ | $0.049 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4599DY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6298
Re-reeling (Rollos a medida)55R1926RL
Cinta adhesiva55R1926
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.8A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6.8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0355
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.045
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3W
Disipación de Potencia de Canal P3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
The SI4599DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for backlight inverter for LCD display and full bridge converter applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6.8A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.045
Disipación de Potencia de Canal N
3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0355
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidad del producto