Imprimir página
SI4850BDY-T1-GE3
MOSFET, CANAL N, 60V, 11.3A, SOIC
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4850BDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante55 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50AC9665RL
Cinta adhesiva50AC9665
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Su número de pieza
5,055 En Stock
20,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.640 | $1.64 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.64 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.640 |
| 50+ | $1.040 |
| 100+ | $0.691 |
| 250+ | $0.616 |
| 500+ | $0.541 |
| 1000+ | $0.493 |
| 2500+ | $0.441 |
| 5000+ | $0.420 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4850BDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante55 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)50AC9665RL
Cinta adhesiva50AC9665
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id11.3A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016ohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia4.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
4.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto