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SI4925BDY-T1-E3
MOSFET Dual, Canal P, 30 V, 7.1 A
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4925BDY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo73W9415
Cinta adhesiva06J7973
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 2500 | $2.340 | $5,850.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5,850.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $2.340 |
| 5000+ | $2.100 |
| 7500+ | $1.930 |
| 12500+ | $1.750 |
| 25000+ | $1.570 |
| 62500+ | $1.390 |
| 125000+ | $1.290 |
| 250000+ | $1.240 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.979 |
| 7500+ | $0.921 |
| 12500+ | $0.872 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4925BDY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo73W9415
Cinta adhesiva06J7973
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Intensidad Drenador Continua Id7.1A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P7.1
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P1.1
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SI4925BDY-T1-E3 es un MOSFET de potencia de doble canal P para aplicaciones de interruptores de carga.
- Libre de halógenos según la norma IEC 61249-2-21
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
7.1
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.02
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.1
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
7.1A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI4925BDY-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto