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SI4925DDY-T1-GE3
MOSFET, PP-CH, 30V, 8A, SO8
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4925DDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6303
Re-reeling (Rollos a medida)78Y9548RL
Cinta adhesiva78Y9548
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.590 | $7.95 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $7.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.590 |
| 50+ | $1.010 |
| 100+ | $0.666 |
| 250+ | $0.595 |
| 500+ | $0.523 |
| 1000+ | $0.477 |
| 2500+ | $0.426 |
| 5000+ | $0.379 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.697 |
| 4000+ | $0.643 |
| 6000+ | $0.626 |
| 10000+ | $0.615 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI4925DDY-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6303
Re-reeling (Rollos a medida)78Y9548RL
Cinta adhesiva78Y9548
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.024ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P5W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.024ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
5W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza SI4925DDY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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