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SI6954ADQ-T1-E3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 3.1 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 1 V RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI6954ADQ-T1-E3Copiar
No. Parte Newark97W2681
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.1A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.1A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.044ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.044ohm
Diseño de TransistorTSSOP
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N830mW
Disipación de Potencia de Canal P830mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.1A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.044ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
830mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.1A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.044ohm
Diseño de Transistor
TSSOP
Disipación de Potencia de Canal N
830mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto