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SI7106DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 19.5 A, 0.0062 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark12R3254
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|---|---|
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark12R3254
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id19.5
Resistencia de Activación Rds(on)0.0062ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0062
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd3.8W
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente600
Disipación de Potencia3.8
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0062ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.8W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
600
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
19.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0062
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia
3.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7106DN-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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