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SI7114ADN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 18.3 A, 0.0075 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark16P3822
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark16P3822
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id18.3
Resistencia de Activación Rds(on)0.01ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0075
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.7W
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Disipación de Potencia3.7
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.01ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
18.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0075
Disipación de Potencia Pd
3.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
3.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7114ADN-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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