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SI7119DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 200 V, 3.8 A, 1.05 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7119DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26R1908RL
Cinta adhesiva26R1908
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.840 | $1.84 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.84 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.840 |
| 50+ | $1.220 |
| 100+ | $0.857 |
| 250+ | $0.780 |
| 500+ | $0.704 |
| 1000+ | $0.655 |
| 2500+ | $0.624 |
| 5000+ | $0.591 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7119DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)26R1908RL
Cinta adhesiva26R1908
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id3.8
Resistencia de Activación Rds(on)0.86ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.05
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.7W
Voltaje de Prueba Rds(on)6
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Disipación de Potencia3.7
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
El SI7119DN-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P TrenchFET® de 200VDS adecuado para la abrazadera activa en aplicaciones de alimentación de CD a CD intermedias.
- Paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1.07mm
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -50 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.86ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
6
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.05
Disipación de Potencia Pd
3.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
3.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7119DN-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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