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SI7155DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 100 A, 0.0036 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7155DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante49 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)56AC6589RL
Cinta adhesiva56AC6589
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.990 | $3.99 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.99 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.990 |
| 50+ | $2.750 |
| 100+ | $2.030 |
| 250+ | $1.880 |
| 500+ | $1.730 |
| 1000+ | $1.700 |
| 2500+ | $1.670 |
| 5000+ | $1.640 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7155DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante49 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)56AC6589RL
Cinta adhesiva56AC6589
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0036
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3
Disipación de Potencia104
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen III Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0036
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
104
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7155DP-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto