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SI7450DP-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 5.3 A, 0.08 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7450DP-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo35K3489
Re-reeling (Rollos a medida)06J8151RL
Cinta adhesiva06J8151
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $2.080 | $6,240.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $6,240.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $2.080 |
| 6000+ | $2.040 |
| 9000+ | $1.990 |
| 15000+ | $1.950 |
| 30000+ | $1.910 |
| 75000+ | $1.870 |
| 150000+ | $1.820 |
| 300000+ | $1.790 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $1.460 |
| 9000+ | $1.430 |
| 15000+ | $1.400 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7450DP-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo35K3489
Re-reeling (Rollos a medida)06J8151RL
Cinta adhesiva06J8151
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id5.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Resistencia de Activación Rds(on)0.08ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd5.2W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Disipación de Potencia5.2
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI7450DP-T1-E3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 200 VDS, adecuado para aplicaciones de conmutador lateral primario y de telecomunicaciones/servidor.
- Nuevo paquete PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño pequeño y perfil bajo de 1.07 mm
- Optimizado para PWM
- Conmutación rápida
- Probado Rg 100%
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.08ohm
Disipación de Potencia Pd
5.2W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
5.2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI7450DP-T1-E3
1 producto (s) encontrado (s)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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