Imprimir página
SI7456DDP-T1-GE3
MOSFET POT, CANAL N, 100V, 27.8A
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7456DDP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark63W4148
Su número de pieza
3,660 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.340 |
| 25+ | $2.250 |
| 50+ | $2.090 |
| 100+ | $1.910 |
| 250+ | $1.740 |
| 500+ | $1.550 |
| 1000+ | $1.340 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.34
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7456DDP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark63W4148
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id27.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente23
Resistencia de Activación Rds(on)0.017ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia35.7
Disipación de Potencia Pd35.7W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MOSFET de canal N de 100V (D-S) para uso en interruptor lateral primario de CD/CD, telecomunicaciones/servidor de 48V, CD/CD de medio puente o completo, rectificación industrial y síncrona.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% probados Rg y UIS
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
23
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
35.7
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
27.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.017ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
Disipación de Potencia Pd
35.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SI7456DDP-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto