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SI7772DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 35.6 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark35R6247
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Múltiple: 3000
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Información del producto
FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark35R6247
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id35.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.013
Resistencia de Activación Rds(on)0.0105ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.9W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Disipación de Potencia3.9
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.013
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
35.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0105ohm
Disipación de Potencia Pd
3.9W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia
3.9
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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