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SI7949DP-T1-E3
Dual MOSFET, Dual P Channel, -3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, -10 V, -3 V RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 50+ | $1.270 |
| 100+ | $1.120 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7949DP-T1-E3
No. Parte Newark47Y1312
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.051ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.051ohm
Diseño de TransistorPowerPAK
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.5W
Disipación de Potencia de Canal P1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.2A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.051ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.5W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.051ohm
Diseño de Transistor
PowerPAK
Disipación de Potencia de Canal N
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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