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SI7997DP-T1-GE3
MOSFET CANAL P DOBLE -20.8V, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7997DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)01AC5009RL
Cinta adhesiva01AC5009
Rango de ProductoTrenchFET Series
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.840 | $3.84 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.84 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.840 |
| 25+ | $2.520 |
| 50+ | $2.150 |
| 100+ | $1.760 |
| 250+ | $1.660 |
| 500+ | $1.530 |
| 1000+ | $1.450 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7997DP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)01AC5009RL
Cinta adhesiva01AC5009
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N60A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P60A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente4500µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente4500µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N46W
Disipación de Potencia de Canal P46W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
60A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
4500µohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
46W
Rango de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
60A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
4500µohm
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Disipación de Potencia de Canal N
46W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI7997DP-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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