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SI9933CDY-T1-E3
MOSFET Doble, Canal P, 20 V, 4 A, 0.048 ohms, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9933CDY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante48 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6332
Re-reeling (Rollos a medida)60AC3821RL
Cinta adhesiva60AC3821
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554 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.060 | $1.06 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.06 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.060 |
| 50+ | $0.510 |
| 100+ | $0.345 |
| 250+ | $0.318 |
| 500+ | $0.290 |
| 1000+ | $0.270 |
| 2500+ | $0.251 |
| 5000+ | $0.241 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.279 |
| 7500+ | $0.245 |
| 12500+ | $0.240 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI9933CDY-T1-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante48 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6332
Re-reeling (Rollos a medida)60AC3821RL
Cinta adhesiva60AC3821
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.048ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N3.1W
Disipación de Potencia de Canal P3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MOSFET de doble canal P de 20V (D-S) adecuado para interruptor de carga y convertidor CD/CD.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% probados Rg y UIS
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.048ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
3.1W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
3.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SI9933CDY-T1-E3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto