Imprimir página
SIA427ADJ-T1-GE3.
MOSFET de Potencia, Canal P, 8 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA427ADJ-T1-GE3.Copiar
No. Parte Newark28AC2095
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Entrega estimada luego de la confirmación del pedido.Se le cobrará en el momento del envío.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.221 |
| 6000+ | $0.218 |
| 12000+ | $0.216 |
| 24000+ | $0.212 |
| 48000+ | $0.211 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$663.00
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA427ADJ-T1-GE3.Copiar
No. Parte Newark28AC2095
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds8
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016
Resistencia de Activación Rds(on)0.013ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd19W
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Disipación de Potencia19
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoTrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Disipación de Potencia Pd
19W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.013ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
19
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIA427ADJ-T1-GE3.
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto