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SIA456DJ-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA456DJ-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo85W0170
Cinta adhesiva03P9742
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.060 | $1.06 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.06 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.060 |
| 25+ | $0.825 |
| 50+ | $0.735 |
| 100+ | $0.644 |
| 250+ | $0.634 |
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Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.429 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA456DJ-T1-GE3
No. Parte Newark
Hilado completo85W0170
Cinta adhesiva03P9742
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id2.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.38
Resistencia de Activación Rds(on)3.5ohm
Diseño de TransistorSC-70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)16
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.4
Disipación de Potencia3.5
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Resumen del producto
El SIA456DJ-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 200 VDS adecuado para aplicaciones de convertidores de refuerzo.
- Nuevo paquete PowerPAK® térmicamente mejorado
- Área de pequeña huella
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.38
Diseño de Transistor
SC-70
Disipación de Potencia Pd
3.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.4
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.6
Resistencia de Activación Rds(on)
3.5ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
16
Disipación de Potencia
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SIA456DJ-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
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