Imprimir página
SIA519EDJ-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA519EDJ-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark69W7157RL
Su número de pieza
984 En Stock
3,000 Puede reservar stock ahora
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $14.220 |
| 25+ | $12.900 |
| 50+ | $11.860 |
| 100+ | $10.660 |
| 250+ | $9.640 |
| 500+ | $8.440 |
| 1000+ | $7.600 |
| 2500+ | $6.300 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 10
Múltiple: 1
$147.20
Se agregará un cargo de rehilado de $5.00 para este producto
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA519EDJ-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark69W7157RL
Hoja de datos técnicos
Resumen del producto
El SIA519EDJ-T1-GE3 es un MOSFET de canal N/P alojado en un paquete de montaje en superficie.
- Libre de halógenos
- TrenchFET® power MOSFET
- Protección ESD típica
- Probado Rg 100%
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SIA519EDJ-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto