Imprimir página
SIA519EDJ-T1-GE3
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA519EDJ-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7157
Cinta adhesiva69W7157
Su número de pieza
984 En Stock
6,000 Puede reservar stock ahora
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $14.220 | $14.22 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $14.22 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $14.220 |
| 25+ | $12.900 |
| 50+ | $11.860 |
| 100+ | $10.660 |
| 250+ | $9.640 |
| 500+ | $8.440 |
| 1000+ | $7.600 |
| 2500+ | $6.300 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA519EDJ-T1-GE3Copiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69W7157
Cinta adhesiva69W7157
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id4.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.053
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.053
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N7.8
Disipación de Potencia de Canal P7.8
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El SIA519EDJ-T1-GE3 es un MOSFET de canal N/P alojado en un paquete de montaje en superficie.
- Libre de halógenos
- TrenchFET® power MOSFET
- Protección ESD típica
- Probado Rg 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id
4.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.053
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
7.8
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.053
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Disipación de Potencia de Canal N
7.8
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SIA519EDJ-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto